InAsSb外延薄膜的红外椭圆偏振光谱研究

来源 :第一届全国椭圆偏振光谱学研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhuyi9021

【摘要】

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采用液相外延方法在InAs 衬底上制备了InAs1-xSbx 外延薄膜材料.高分辨率X 射线衍射(HRXRD)及扫描电子显微镜(SEM)测试表明外延薄膜材料的晶体质量较好.利用维格定律计算得薄

【作者】

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吕英飞周炜王洋俞国林胡淑红戴宁

【机构】

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中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083

【出处】

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第一届全国椭圆偏振光谱学研讨会

【发表日期】

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2014年11期

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采用液相外延方法在InAs 衬底上制备了InAs1-xSbx 外延薄膜材料.高分辨率X 射线衍射(HRXRD)及扫描电子显微镜(SEM)测试表明外延薄膜材料的晶体质量较好.利用维格定律计算得薄膜中锑元素含量为x=0.06.利用傅里叶型红外椭圆偏振光谱仪,结合禁带附近介电函数模型,拟合得到了InAsSb 薄膜位于禁带宽度附近的室温下的折射率、消光系数光谱.另外根据禁带宽度能量附近折射率能量增强效应确定了InAsSb 薄膜材料的禁带宽度为0.305eV,所得结果与经验公式计算值基本一致.

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