稀土材料具有高介电常数、优异压电性能、低功函等功能性质,超高纯稀土金属及其靶材已在高阶制程集成电路用栅介质薄膜、磁致伸缩材料、OLED新型显示材料等功能材料中实现应用,成为高新技术产业的重要支撑材料^[1]。但因稀土金属活性高、提纯过程二次污染严重、工艺步骤多、设备要求高^[2],靶材变形加工塑性差、组织缺陷控制困难等,超高纯稀土金属及其靶材是国家重点支持的一种技术难度大、附加值高的高技术产品。"十二五"以来,在国家973/863等项目的支持下,系统开展了超高纯稀土金属及其靶材制备技术研究,突破了多项共性关键技术。近年来,以铒作为高K栅介质材料用途的电子材料进行了研究开发^[3],因高纯金属铒靶材是核心基础材料而成为研究的热点。本文针对微纳电子制造用超高纯金属铒及其靶材的需求,重点开展了金属提纯、靶材制备等相关科学基础、提纯方法、关键技术的研发,取得了如下研究结果:（1）获得了低温精馏金属铒过程中重要杂质迁移规律,开发了高真空低温精馏直接纯化技术,获得金属铒纯度>4N6 （60种金属杂质总和<37.4ppm）,其中Na+K+Li<0.11ppm,U+Th<10ppb,Fe、Co等过渡金属元素总量<0.28ppm, O含量为38 ppm;（2）集成高真空、悬浮熔炼、离心铸造和电磁搅拌技术,开发了高纯金属铒洁净熔铸技术及装备,获得了致密、低缺陷的铒锭,其纯度>4N、O含量为69ppm;（3）研究了锻压开坯-精准轧制及靶材后处理等技术,获得了纯度>4N、尺寸>350mm、平均晶粒尺寸为11μm的金属铒靶材。