【摘 要】
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自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4A鼍级减小到了10-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性。采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电
【机 构】
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专用集成电路国家重点实验室,石家庄 050051 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4A鼍级减小到了10-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性。采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电压Vds=33V时,器件连续波输出功率18.2w,功率增益为7.6dB,峰值功率附加效率为43.0％.2.5mm×4 GaN HEMT内匹配器件,测试频率8GHz,连续波输出功率64.5W,功率增益7.2dB,功率附加效率39％。
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