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硅基光电子是信息处理和通讯的重要发展趋势,其中硅基光源是一个亟待解决的问题.本文的研究主要针对下面这个技术方案:通过外延的方式实现Ⅲ-Ⅴ族材料在Ge/Si衬底上的集成[1-3].材料制备分两个部分进行:第一部分是在Si衬底上制备弛豫的Ge晶体薄膜材料;第二部分是在Ge/Si衬底上外延制备GaAs材料.这样就可以实现从间接带隙材料(Si)过渡到直接带隙材料(Ⅲ-Ⅴ),从而有利于制备激光光源.这个方案中的关键问题是在Ge材料上外延GaAs材料.