【摘 要】
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采用双对向靶直流磁控溅射法制备了CoC颗粒膜.X射线光电子能谱确定了薄膜中的Co的原子百分比x分别为30﹪,34﹪和38﹪,而且没有发现钴的碳化物.原子力显微镜的分析结果表明不同成分
【机 构】
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天津大学理学院现代材料物理研究所(天津);天津市薄膜物理及低维材料设计重点实验室(天津)
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采用双对向靶直流磁控溅射法制备了Co<,x>C<,1-x>颗粒膜.X射线光电子能谱确定了薄膜中的Co的原子百分比x分别为30﹪,34﹪和38﹪,而且没有发现钴的碳化物.原子力显微镜的分析结果表明不同成分的制备颗粒膜的表面粗糙度均小于硅基底的表面粗糙度.从透射电镜明场像可以看出不同成分的制备态样品的形貌基本一样,而随着退火温度的升高Co颗粒长大.电子衍射图样结果表明制备态样品中Co和C均为非晶态,而退火温度增加到400℃和450℃时,薄膜由FCC的Co和石墨状的C组成.
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