【摘 要】
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采用自制MOCVD系统研究了成核层温度对外延N面GaN的影响。XRD结果显示,低温氮化镓成核层外延薄膜有着较低的(002)和(102)XRD半高宽(FWHM)。Hall测量表明,高温氮化镓外延薄膜
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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采用自制MOCVD系统研究了成核层温度对外延N面GaN的影响。XRD结果显示,低温氮化镓成核层外延薄膜有着较低的(002)和(102)XRD半高宽(FWHM)。Hall测量表明,高温氮化镓外延薄膜有着较高的迁移率和较低的体电子浓度。室温PL谱测量结果证明,尽管成核层温度不同。N面GaN的带边峰均出现红移,且低温氮化镓外延薄膜的红移较小,对应于较低的张应力。此外,从AFM图像上可以看到,外延薄膜表面形貌对成核层温度是极其敏感的。对此,我们基于以上实验结果,从的角度出发,讨论了不同温度下N面GaN的生长行为对外延薄膜质量及形貌的影响。
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