【摘 要】
：
微电子封装中,对分离电子元器件的封装多采用引线键合的方式实现基板与管脚引线的互连,即引线键合技术。在相当长的一段时间内,人们认为紫斑效应是键合工艺中最常见的失效形
【机 构】
：
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
【出 处】
：
第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
微电子封装中,对分离电子元器件的封装多采用引线键合的方式实现基板与管脚引线的互连,即引线键合技术。在相当长的一段时间内,人们认为紫斑效应是键合工艺中最常见的失效形式。而现在众多研究表明影响键合强度的是克根达尔效应形成的克根达尔空洞,我们以型号为SOT23的晶体管为研究对象,分别对150℃、175℃下作高温存储(HTSL)1000小时后的晶体管取样,再与20℃的晶体管对比,采用Multiplcxcr测试机作电参分析;通过制作截面切片,并将样品的截面镀金后用SEM作微观结构分析,对引线键合中的克根达尔空洞形成进行相关的研究。
其他文献
今年的男子职业网坛天下大乱.新生代球星全面崛起,以往的费纳争霸局面一去不复返.在年初的澳网公开赛上,两位首次打入大满贯决赛的青年才俊-德约科维奇和特松加我们奉献了一
本论文主旨是在探讨、分析及制作1.8GHz氮化鎵低杂讯功率放大器(Low noise amplifier),利用0.5um氮化铝镓/氮化镓高电子移导率场效电晶体(A1Gabl/GeN high electron mobility
利用气态源分子束外延生长的InAlAs/InGaAs/InP HEMT 结构上制备出了InP基肖特基二极管器件,器件开启电压为0.1V,理想因子1.94,具有较小的肖特基势垒0.356eV。在室温下对不同
采用基于密度泛函理论(DFT)广义梯度近似(GGA)下的第一性原理方法系统地研究了不同覆盖率下P原子在4H-SiC(0001)Si面的吸附特性。总能和电子结构计算结果表明.P在4H-sic(0001
CONVERSE ALL STAR永远都不缺少拥护者.不追求潮流的,只会买帆布的All Star.因为它最经典,这种人便是ALL STAR的死忠.但所有帆布材料的ALL STAR中,当属美版是首选!而至于颜色
为了满足钇铁石榴石(YIG)与Ag电极低温共烧,本文采用固相反应法制备了Bi:YIG系列铁氧体材料。借助XRD、SEM和网络分析仪等技术手段研究了Bi3+对YIG铁氧体的体积密度、相组成
在AlGaN/GaN异质结构上制作Ni肖特基接触,一个样品未做退火处理,另一个样品在700℃下退火半小时,样品的势垒高度经过光电流谱测试得到。以测试得到的I-v特性以及双二极管模型
街头篮球和职业篮球虽然有着本质的区别,但是由于街头篮球并不受太多的身体和场地限制所以受到了更多篮球爱好者的欢迎,可以说街头篮球的参与性更高,不过目前市面上专攻街头
日本HIP-HOP天力Nitro Mictrphone Underground时至今日已经成军十年,对于这样一个具有纪念性的年份,当然免不了要庆祝一番,与NIKE一直保持着密切关系的他们继之前在NIKE 1WO
利用测得的方形和圆形A1GaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性.我们发现由于AlN插层使得二维电子气与极化电荷的间距变大,从而