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采用全MOCVD生长工艺制作的DC-PBH结构的1550nmDFB激光器较过去的LPE工艺有利于降低阈值电流密度,提高激光器效率,本文通过低压MOCVD工艺研制1550nm InGaAsP/InP DC-PBH结构激光器材料.
1550nm InGaAsP/InP DC-PBH激光器MOCVD生长
【摘 要】
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采用全MOCVD生长工艺制作的DC-PBH结构的1550nmDFB激光器较过去的LPE工艺有利于降低阈值电流密度,提高激光器效率,本文通过低压MOCVD工艺研制1550nm InGaAsP/InP DC-PBH结构激光器材料.
【机 构】
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武汉华工正源光子技术有限公司
【出 处】
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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2003年1期
其他文献
本研究首先对比了AlGaN与NiAl电极形成欧姆接触的工艺.其次试验在AlGaN表面生长了8nm重掺GaN(1×10/cm)帽层,使源漏电极可以制作在禁带宽度较小的GaN上,期待进一步降低接触电阻.
本工作在3维空间中模拟了行星式水平MOCVD反应室生长GaN基材料的流场,热场,反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.通过计算结果与同样条件下的实验结果比较,发现两者吻合程序非常高,表明化学反应机理和计算方法是基本可靠的,能够以此来模拟和指导GaN基材料具体的MOCVD生长工艺.
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为了打破国外在MOCVD设备长期处于垄断,摆脱我国长期依赖进口的被动局面,我们在国家高技术发展计划("863"计划)的支持下,研制一台适合GaN基材料生长的MOCVD设备(3片1.5英寸衬底),以期建立MOCVD研发及产业化基地,使我国在此领域占有一席之地.本文介绍了该设备的基本设计思想.
利用LP-MOCVD系统在蓝宝石(α-AlO)衬底的(0001)面上外延生长InGaN/GaN MQWLED结构.分别以蓝氨和高纯三甲基铟(TMIn)、三甲基镓(TMGa)为N、In、Ga源SiH和CpMg分别作为n、p型掺杂剂.
用Zn(CH)和CO为源,在MOCVD系统中外延ZnO薄膜,基片分别采用AlO(样品1)和Si(样品2).对生长后的样品在空气中900℃退火1小时,分别测量了这两种样品退火前后的X射线衍射谱以及PL荧光光谱,PL光谱的及发光源为He-Cd激光器的325nm谱线.
本文以二乙基锌和氧气分别作为锌源和氧源,采用低压MOCVD生长系统,通过改变气流输运方式,并辅以衬底托盘高速旋转以减小预反应的办法,在c-AlO衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了Ⅵ族源O气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.
本论文利用MOCVD法在C-ALO衬底上生长出具有高阻值、透明的ZnO薄膜.对于薄膜质量,我们利用SIEMENS D08 X射线衍射仪、325nmHe-Cd激光器、原子力显微镜等测试手段对ZnO薄膜质量进行了X射线衍射(XRD)、室温光荧光谱(PL)和薄膜表面分析.
ZnO材料作为一种直接带隙的宽禁带半导体材料,一直受到研究人员的关注.MOCVD是最适合工业化生产的一种方法,本文采用新型等离子体增强MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长出高质量的ZnO薄膜,并分析了其特性.
本文利用甲基丙稀酸甲酯-甲基丙酸缩水甘油酯共聚物研制AWG波分复用器,对器件的抛光工艺进行了研究.器件的端面抛光是AWG在耦合封装时的一个重要步骤,如果解决不好,会严重影响器件的参数.本文通过试验筛选研抛材料及参数,分析抛光工艺存在的问题并进行了较好的解决.