【摘 要】
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利用AFM(原子力显微镜)、CV以及霍尔测试手段,对在GaAs衬底上分子束外延(MBE)制备的两种不同结构的InAs/AlSb材料进行测试,研究了δ掺杂对InAs沟道中电子迁移率与二维电
【机 构】
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School of Microelectronic, Xidian University, Xian, 710071, China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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利用AFM(原子力显微镜)、CV以及霍尔测试手段,对在GaAs衬底上分子束外延(MBE)制备的两种不同结构的InAs/AlSb材料进行测试,研究了δ掺杂对InAs沟道中电子迁移率与二维电子气的影响。在对InAs/AlSb材料的能带结构分析研究的基础上,可以通过在InAs沟道上下两层的势垒中分别添加N型δ掺杂来提高沟道中二维电子气浓度。测试结果表明,在只有上层δ掺杂的InAs沟道中电子迁移率与二维电子气浓度分别为26000cm2/V·s,8.65×1011 cm-2,在下层势垒区中添加了δ掺杂以及上层势垒区添加InAs量子阱后的InAs/AlSb材料的电子迁移率与二维电子气浓度分别为16000 cm2/V·s,5.9×1012cm-2。
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