【摘 要】
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本文介绍了氮化嫁(GaN)材料具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、抗辐射能力强、化学性质稳定和功率密度高等优点，具有巨大军事应用前景。为进一步降低成本和提高功率密度，G
【机 构】
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工业和信息化部电子科学技术情报研究所
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文介绍了氮化嫁(GaN)材料具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、抗辐射能力强、化学性质稳定和功率密度高等优点，具有巨大军事应用前景。为进一步降低成本和提高功率密度，GaN器件衬底在原有碳化硅(SiC)的基础上发展出硅和金刚石两种新材料。为促进GaN器件的发展，美国、欧洲和日本等国家和地区启动了多个发展计划。GaN器件晶圆直径的增加、生产工艺的成熟、可靠性的提升都为GaN器件在下一代有源电子扫描阵列雷达、新电子战系统等武器装备中的应用铺平道路。
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