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在以前工作的基础上，该文探讨了用ＰＥＣＶＤ法制备掺磷ｎｃ－Ｓｉ－Ｈ薄膜，研究了其表面形貌、光、电和压力传感等多种物性，Ｒａｍａｎ谱结果标明其晶粒大小在纳米尺寸范围，红外测量表明ｐ原子已掺入到晶粒内部，电学测量结果表明ｐ的掺入能显著提高其电导率，其压力传感系数也有明显提高。
掺杂纳米硅薄膜的研制
【摘 要】
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在以前工作的基础上，该文探讨了用ＰＥＣＶＤ法制备掺磷ｎｃ－Ｓｉ－Ｈ薄膜，研究了其表面形貌、光、电和压力传感等多种物性，Ｒａｍａｎ谱结果标明其晶粒大小在纳米尺寸范围，红外测量表明ｐ原子已掺入到晶粒内部，电学测
【机 构】
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理工大学物理系半导体研究室
【出 处】
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'96中国材料研讨会
【发表日期】
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1996年期
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