【摘 要】
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近年来,非金属半导体石墨型氮化碳(g-C3N4)以其廉价易制备及可见光下即可光解水和降解染料废水等优点成为研究热点,但是块状g-C3N4 尺寸较大及电子-空穴复合率较高,导致
【机 构】
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江苏大学化学化工学院 镇江 212013
【出 处】
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第十四届全国太阳能光化学与光催化学术会议
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近年来,非金属半导体石墨型氮化碳(g-C3N4)以其廉价易制备及可见光下即可光解水和降解染料废水等优点成为研究热点,但是块状g-C3N4 尺寸较大及电子-空穴复合率较高,导致其活性受到限制.因此如何提高g-C3N4 的活性具有重要意义.对g-C3N4进行剥离制备少层或者单层的g-C3N4 及制备多孔结构的g-C3N4 等方法也应运而生,实验结果表明,少层的氮化碳能够有效提高g-C3N4 的光催化性能,但是产率较低1.本文通过化学方法对g-C3N4进行处理,然后煅烧能够高产率得到nano g-C3N4.块状g-C3N4,不同温度煅烧的nano g-C3N4,可见光下降解MO的活性图如图A所示.300度煅烧的nano g-C3N4的SEM图如图B所示.从图A中可见nano g-C3N4降解MO(甲基橙)活性与块状的g-C3N4相比有大幅度的提升.这主要是因为nano g-C3N4尺寸变小,能够充分利用其活性位点,从而提高降解污染物的能力.
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