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Cu掺杂ZnO因其表现出优异的室温稀磁半导体特性[1-3],具备一定多铁特性[4],并有可能在电控磁性的磁电器件中获得应用而受到关注.而如何通过外场(如电场和应力)对其磁特性进行调控是其在磁电器件中应用的关键.
单轴压力诱导Cu掺杂ZnO稀磁半导体结构及磁性相变的第一性原理研究
【摘 要】
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Cu掺杂ZnO因其表现出优异的室温稀磁半导体特性[1-3],具备一定多铁特性[4],并有可能在电控磁性的磁电器件中获得应用而受到关注.而如何通过外场(如电场和应力)对其磁特性进行
【机 构】
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华南师范大学先进材料研究所,广州,510006
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
【发表日期】
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2012年期
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