【摘 要】
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少子寿命是反映半导体材料质量和器件特性非常重要的参数之一,在改善SiC双极功率器件的通态和开关特性方面起到了至关重要的作用.本文利用微波光电导衰减(μ-PCD)法测试不同
【机 构】
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西安电子科技大学宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西 西安 710071
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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少子寿命是反映半导体材料质量和器件特性非常重要的参数之一,在改善SiC双极功率器件的通态和开关特性方面起到了至关重要的作用.本文利用微波光电导衰减(μ-PCD)法测试不同氧化工艺处理的6H-SiC样品的少子寿命,对实验结果进行了详细的讨论,分析了热氧化对SiC少子寿命的影响,结果表明,在相同的氧化时间下,氧化温度越高对少数载流子寿命的改善越明显,而在相同的氧化温度下,氧化时间越长,少子寿命值则越大.
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