【摘 要】
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二维材料与晶体硅形成的异质结太阳电池是当前太阳电池研究热点之一,大多数研究集中在石墨烯和硅形成的肖特基结太阳电池.为了改善器件的能带结构,在本工作中,采用禁带宽度可调的n-MoS2二维半导体材料与p-Si形成异质结器件.通过实验研究了退火时间对MoS2材料合成的影响,并对MoS2-Si异质结的暗电流和光电流曲线进行测量和分析.最后通过异质结模拟软件wx-AMPS对MoS2-Si异质结结构进行效率计
【出 处】
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第13届全国博士生学术年会——新能源专题
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二维材料与晶体硅形成的异质结太阳电池是当前太阳电池研究热点之一,大多数研究集中在石墨烯和硅形成的肖特基结太阳电池.为了改善器件的能带结构,在本工作中,采用禁带宽度可调的n-MoS2二维半导体材料与p-Si形成异质结器件.通过实验研究了退火时间对MoS2材料合成的影响,并对MoS2-Si异质结的暗电流和光电流曲线进行测量和分析.最后通过异质结模拟软件wx-AMPS对MoS2-Si异质结结构进行效率计算和能带分析,得到薄膜厚度和载流子浓度对器件开路电压的影响.本实验为制备高效低成本的异质结太阳电池新结构提供指导.
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