力谱方法是人们研究单分子键性质的重要实验手段。力谱方法主要是测量单分子键在不同加载速率下的断裂强度，从而获取单分子键的重要性质，如断裂势垒高度off G？，势阱宽度x？，以及解离速率offk 等。一直以来，人们认为单分子键的断裂强度是随着加载速率的下降而下降的。但是随着实验技术的发展，越来越低的加载速率的实现使人们发现，当加载速率下降到一特定值后，单分子键的断裂强度不再随着加载速率的变化而变化，这与人们一直以来的观点是相悖的。本论文工作中，我们引入解离-再结合机理建立理论模型，解释了单分子键的断裂强度在超低加载速率下呈现饱和状态的物理机理。另外，我们还发现单分子键在超低加载速率情况下，其断裂强度不仅与单分子键本身的性质有关，并且与测量仪器的刚度有关。本论文工作将有利于人们理解单分子键在超低加载速率下的断裂行为。