【摘 要】
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通常铋元素在含氧金属化合物中以6s轨道参与价带顶的组成,可构成一批窄带隙半导体化合物,因此近年来含铋化合物的研究备受关注.单斜白钨矿BiVO4的带隙宽度为2.4eV,具有较
【机 构】
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上海交通大学环境科学与工程学院上海200240
【出 处】
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第八届全国催化剂制备科学与技术研讨会
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通常铋元素在含氧金属化合物中以6s轨道参与价带顶的组成,可构成一批窄带隙半导体化合物,因此近年来含铋化合物的研究备受关注.单斜白钨矿BiVO4的带隙宽度为2.4eV,具有较宽的吸收范围,在光催化领域具有应用潜力.进一步提高BiVO4光催化活性的途径包括:形成复合物结构如BiVO4/Co3O4、负载金属纳米粒子如Au/BiVO4、制备纳米形貌结构和增加活性晶面暴露.活性晶面的调控是近期的一个热点话题,Wang等在水热制备中引入TiCl3调控获得(040)面暴露的BiVO4纳米片,而且讨论了不同钛化合物的影响;而Xi等以BiC13为原料制备了(010)面暴露的纳米片BiVO4,这些方法均获得了光催化活性增强的BiVO4化合物.本研究发现氯离子对BiV04的晶面形貌具有关键作用,而起因源于形成的具有片状结构BiOCl化合物。
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