应用透表法研究硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管(SBD)比应用EBIC法研究它的p-n结特性,尤其结深时更有明显优势:样品不需要特殊制作;无损检测方法,容易操作和使用;获得的图像十分清晰. 在研制和生产半导体材料、半导体器件、集成电路和真空纳米电子器件(VND)的时候,由于它们的尺寸很小,往往需要应用扫描电子显微镜(SEM)进行检测和研究.EBIC(electron beam induced current)法是在SEM中经常用来研究半导体材料、半导体器件、集成电路和真空纳米电子器件的一种十分重要的方法,经常用来研究半导体材料、半导体器件、集成电路和真空纳米电子器件的一些重要特性,例如应用EBIC法进行非破坏无损研究p-n结的特性和结深.但由于应用EBIC法进行非破坏无损研究p-n结的结深时,需要在p-n结的两端分别焊接一根引出线,尽管是应用欧姆焊接,仍会对p-n结特性有一定影响.本文研究成功一种透表法,应用此法来研究p-n结特性时,可以不焊接任何引出线,真正实现了非破坏无损地研究p-n结,并简化了研究样品的制备,保证研究结果真正反映了p-n结的特性.为比较这两种方法的特点,我们应用同一个硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管(SBD-palladium silicide-p-type silicon schottky barrier diode)作为样品,应用透表法和EBIC法同时研究它的p-n结特性和结深.研究结果表明,用EBIC法研究的结果与徐晓华和李萍在英国Cambridge Instrument Ltd.生产的S250MK2型扫描电子显微镜上应用电子束感生电流EBIC法实现非破坏性检测SBD p-n结的研究结果一致.但是用透表法不需要焊接任何引线,保证做到了非破坏无损的研究,真正反映了所研究的p-n结的特性和物理本质。