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【摘 要】
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本文分析了SIMOX材料的光致发光谱(PL),判断顶部硅层单晶完整性.对比二次离子质谱(SIMS)结果,分析PL谱中谱峰对应顶部硅层中的O施主、与C和N杂质含量或界面的扩展缺陷有关.用
【机 构】
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北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理所,北京市辐射中心(北京)
【出 处】
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第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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2001年期
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