【摘 要】
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双层实心转子异步磁力联轴器是在普通实心转子异步磁力联轴器基础上改进得到,联轴器的外转子内侧上布有稀土永磁体,内转子采用双层实心转子实心转子,无需永磁材料,由此设计的耐高温双层实心转子磁力联轴器能有效地解决以往磁力驱动泵无法输送高温介质的问题,具有较高的经济价值和较好的使用前景.该磁力联轴器磁路设计与分析是求解磁力联轴器电磁转矩的重要基础.由于磁路与电路非常相似,磁场计算可以简化为磁路计算,因此本文
【机 构】
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江苏大学,机械工程学院,江苏,镇江,212013 无锡职业技术学院,机械系,江苏,无锡,21412
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双层实心转子异步磁力联轴器是在普通实心转子异步磁力联轴器基础上改进得到,联轴器的外转子内侧上布有稀土永磁体,内转子采用双层实心转子实心转子,无需永磁材料,由此设计的耐高温双层实心转子磁力联轴器能有效地解决以往磁力驱动泵无法输送高温介质的问题,具有较高的经济价值和较好的使用前景.该磁力联轴器磁路设计与分析是求解磁力联轴器电磁转矩的重要基础.由于磁路与电路非常相似,磁场计算可以简化为磁路计算,因此本文采用等效磁路图的方法分析空载和负载情况下的磁路.
其他文献
随着GaAs器件、集成电路水平的不断提高,对材料的质量提出了越来越高的要求.在我们多年从事器件研究的过程中深感用来标称单晶质量的三大参数;电阻率、迁移率、位错密度已不足以全面评价材料性能,因其优劣与器件应用结果并不总能有明确的对应关系.针对以上情况本课题开展了半绝缘GaAs单晶性能对器件性能影响的实验研究,试图在材料和器件之间建立较为明确的对应关系.
在不进行合金化的情况下,首次直接采用TiAl合金作为金属电极在n型载流子浓度为2×10cm的GaN上成功得到了比接触电阻率为3×10Ωcm的低接触电阻欧姆接触.与通常的Ti/Al双层结构比较,TiAl合金结构更容易形成非合金化的n型欧姆接触.进一步分析了N空位和界面层的TiAl这两种机制在形成非合金或低温退火欧姆接触中发挥的作用,由此设计的Ti/TiAl/Ni/Au接触结构,在TiAl合金结构基础
在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至1500nm、深度为90nm至370nm的GaN基准二维八重光子准晶阵列.并将其运用于GaN基发光二极管.
在蓝宝石衬底上,用MOCVD(金属有机物气相沉积)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品.溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触,讨论测量获得肖特基的I-V和C-V特性曲线.随着退火时间的延长,MSM(金属-半导体-金属)结构的I-V特性曲线保持良好的对称性,但C-V曲线逐渐失去其对称性.
GaN器件已开始步入实用化阶段,具有优越性能的GaN器件的频率范围已从L波段覆盖到Ka波段,将为其在无线通信中的应用展示了极为广阔的前景.
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结的研究结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制、倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.
本文主要对不同工艺条件下的NiCr/4H—SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件,对SiC MESFET器件的实现奠定基础.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测量NiCr/4H—SiC的最佳特征接触电阻率达到n=1.24×10Ucm,能够很好的满足SiC MESFET器件的需要.
半绝缘砷化镓单晶材料具有半绝缘、迁移率高、工作温度高等突出的优点,用它研制和生产出的器件和电路工作频率高、噪声低、功耗低,在高频通信应用领域具有极大的优势,因此,它们不仅成为军工微波、毫米波通信的首选,而且,近几年已在民用移动通信及光纤通信中扮演着不可缺少的重要角色.随着今后通信频率的不断提高,这些材料和器件在超高频领域的作用将会越来越大,有可能成为下一代通信产品的核心技术和市场竞争的焦点.
我们制作了在电流-电压特性曲线上具有双微分负阻的共振隧穿器件,室温就可达到较高的峰谷比5.2:1,这种器件采用两个隧穿二极管背靠背串联的结构,可以在多值逻辑或其它有关降低电路复杂性方面有较为广泛的应用.
本文通过仿真优化了中心波长在1300nm的P型GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜.通过优化结构和掺杂,大大降低了P型的GaAs/AlGaAs的电阻值,为生长出高质量的能减小发热的DBR器件摸索出了条件.