【摘 要】
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利用傅立叶红外光谱议,通过单步退火和两步退火的方法,研究了太阳能级直拉单晶硅在不同气氛下热处理对其氧沉淀的影响.实验结果表明,在Ar气氛下进行单步退火处理,太阳能级直
【机 构】
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安徽省机械工业设计院,安徽合肥230061
【出 处】
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2011年安徽省科协年会——机械工程分年会
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利用傅立叶红外光谱议,通过单步退火和两步退火的方法,研究了太阳能级直拉单晶硅在不同气氛下热处理对其氧沉淀的影响.实验结果表明,在Ar气氛下进行单步退火处理,太阳能级直拉单晶硅片基本上不会产生氧沉淀.而经过两步退火处理后,则有氧沉淀的产生.而在N2气氛的下热处理,在单步退火过程中,随着退火温度的升高,硅片氧沉淀增加两步退火处理时,随着后处理温度的升高,硅片的氧沉淀呈现出先增加后减少的趋势.
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