基于表面牺牲层工艺微谐振器的金属化与释放

来源 :中国微米纳米技术学会第十一届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:helloclare
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基于表面牺牲层工艺的微谐振器以其高选频特性、低功耗、与IC工艺兼容等优点,在MEMS领域得到广泛应用,如压力/应力测量、温度传感器,射频滤波器、混频器。是一种典型基于双层多晶硅牺牲层工艺的双端固支梁微谐振器。采用Parylene作为金属层保护介质,能够有效地在释放过程中保护金属铝,解决了微谐振器的金属化与释放难题,制备出的微谐振器测试结果与设计值相符,可进行后续压焊、封装及测试。基于Parylene保护的金属化和释放方法还可以推广用于其他化学溶液的释放,有十分广阔的应用前景。
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