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本文应用准分子脉冲激光KrF (248 nm) 和BCl3气体研究了激光化学气相的掺杂特性。应用C-V法对P-Si(100)掺杂样品的杂质浓度进行了分析, 发现脉冲激光气相掺杂与激光能量密度有密切关系，其能量密度阈值为0.75J／cm2。在一定的能量密度下，通过控制脉冲激光数, 可实现δ-掺杂、调制掺杂和P＋型重掺杂等不同要求的掺杂。说明应用脉冲激光可进行有效的调制掺杂，可精确地控制器件各层中的载流子浓度分布。