快速恢复外延二极管也称快速动率二极管，是快恢复二极管( FRD)的一种，主要应用在高频开关电路中，它采用外延型PiN结构，其反向恢复时间可低于50ns，一般为几十到几百纳秒，正向压降可低至0.9V左右，一般小于2.OV，但其反向耐压多在1200V以下，可用于开关频率为20-50kHz的场合。现代脉冲电路中大量使用晶体管或二极管作为开关，或者使用主要是由它们构成的逻辑集成电路。快恢复二极管的最主要特点是它的反向恢复时间(trr)在几百纳秒(ns)以下，快速恢复外延二极管(FRED)、超快恢复二极管、SiC二极管甚至能达到几十纳秒，是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。SiC肖特基二极管能提供近乎理想的动态性能。作为单子器件，它的工作过程中没有电荷储存，因此它的反向恢复电流仅由它的耗尽层结电容造成，其反向恢复电荷以及反向恢复损耗比硅超快恢复二极管要低一到两个数量级。更重要的是，和它匹配的开关管的开通损耗也可以得到大幅度减少，因此能提高电路的开关频率，同样功率的设备可以做的更小。另外，它几乎没有正向恢复电压，因而能够立即导通，不存在双极型器件的开通延时现象。为了更好地发挥SiC肖特基二极管的优势。在芯片生产中的发展方向是衬底减薄技术和Trench JBS结构，进一步改善正反向特性。不仅增加了SiC肖特基二极管电流密度（芯片面积减小50％），也提高了阻断电压和雪崩能力。另一方面在模块制造上尽量减小热阻和接触电阻，也就是降低SiC肖特基二极管模块的正向电压降，降低工作时的导通损耗和发热。