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Ｇａ（Ａｓ，Ｓｂ）半导体金属有机物气相外延，涉及Ｇａ－Ａｓ－Ｓｂ－Ｃ－Ｈ五元系中７个相和６８个气相物种。该文采用近期发展的Ⅲ－Ｖ族半导体ＭＯＶＰＥ外延生长热力学计算方法，对Ｇａ（Ａｓ，Ｓｂ）半导体ＭＯＶＰＥ过程中，半导体相发生溶解间隙的平衡状态、和不发生第二出的介稳状态，分别进行了热力学模拟分析。结果表明，不少情况下，过程是依介稳状态进行的，并可据此对半导体成分进行了模拟和预测。