M面非极性GaN材料MOCVD生长和特性研究

来源 :第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zanyunfeng

【摘要】

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传统的C面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于内部极化电场的存在限制了器件量子效率的提高.M面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于具有非极性的特点,排除了内极化电场的影响,有望提

【作者】

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谢自力江若琏施毅郑有炓张荣韩平刘成祥修向前刘斌李亮赵红朱顺明周圣明

【机构】

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江苏省光电功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093

【出处】

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

：

2006年期

【关键词】

：

非极性半导体材料 Ⅲ族氮化物量子效率极化电场优化生长生长条件器件单晶薄膜材料特性薄膜材料方法衬底

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传统的C面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于内部极化电场的存在限制了器件量子效率的提高.M面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于具有非极性的特点,排除了内极化电场的影响,有望提高GaN基器件的量子效率.本文用MOCVD方法在(100)LiAlO2衬底上研制出M面的非极性GaN薄膜材料.研究了不同生长条件对材料特性的影响.通过优化生长,获得了非极化M面GaN单晶薄膜.

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