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通过ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的ＥＳＤ试验前后直流参数、微波参数的变化情况，提出了失效模式，分析了失效机理，叙述了静电防护措施。
ESD试验后GaAs MESFET电参数的变化与失效分析
【摘 要】
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通过ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的ＥＳＤ试验前后直流参数、微波参数的变化情况，提出了失效模式，分析了失效机理，叙述了静电防护措施。
【机 构】
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工业部13所(石家庄)
【出 处】
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第七届全国可靠性物理学术讨论会
【发表日期】
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1997年期
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