【摘 要】
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本文将铂膜温度芯片和SOI压力芯片近距离地装配在充油芯体内,进行真空充油后,温度、压力传感器芯片同时被硅油保护起来,再通过波纹膜片感受压力.由于温度芯片和压力芯片
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十九研究所,黑龙江省哈尔滨市,150001
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文将铂膜温度芯片和SOI压力芯片近距离地装配在充油芯体内,进行真空充油后,温度、压力传感器芯片同时被硅油保护起来,再通过波纹膜片感受压力.由于温度芯片和压力芯片放置的非常近,可以同时感受小的局部区域的温度信号和压力信号,解决了同时测量同一区域压力和温度信号的技术难题,同时对压力传感器的具有很好的温度补偿效果.对研制的充油式温度压力复合传感器进行了性能测试,结果表明,测试结果与设计相符,其中温度传感器的允差在△t=±(0.30+0.005丨t丨)℃范围内,压力传感器的非线性优于0.2％FS,压力测量范围为：0～75MPa,工作温度范围为：-50℃～225℃.
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