ICP刻蚀技术在微细加工中的应用

来源 :第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pheihe

【摘要】

：

电感耦合等离子体干法刻蚀技术(ICP)以其高密度高能量和刻蚀各向异性的特点越来越多的在微细加工领域被应用,微电子中心凭借在设备和工艺研发上的优势,在该领域进行了许多深

【作者】

：

李兵;刘辉;陈大鹏;谢常青;王玮冰;王冠亚;胥兴才;陈朝晖;叶甜春;

【机构】

：

中国科学院微电子中心

【出处】

：

第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

【发表日期】

：

2003年期

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

电感耦合等离子体干法刻蚀技术(ICP)以其高密度高能量和刻蚀各向异性的特点越来越多的在微细加工领域被应用,微电子中心凭借在设备和工艺研发上的优势,在该领域进行了许多深入的研究和探索,并且用ICP干法刻蚀技术制备了EUV透射掩模、X射线光刻Ta掩模、红外焦平面成象阵列等,使该技术成为微纳米微细加工的主要手段之一.

其他文献

AlGaN/GaN HEMT器件隔离研究

本文报道了AlGaN/GaN HEMT器件制造中器件隔离工艺的研究结果.我们采用离子注入方法实现了1微米深度的器件隔离.通过对比两种不同缓冲层厚度材料的注入隔离工艺以及对比采用R

会议

器件隔离离子注入注入方法热稳定性隔离工艺缓冲层厚度外延材料载流子俘获稳定性研究器件制造热处理中心微米区域漏电刻蚀机理

离子注入法制备掺Er-Al<,2>O<,3>薄膜的研究

通过离子束辅助沉积(IBED)在热氧化SiO上沉积AlO薄膜,在能量120keV剂量5×10cm下离子注入Er离子,Ar气环境下500~1000℃退火1h.低温下测试PL谱线,发现700℃退火样品强度特别低

会议

碳纳米管电子器件的构建和特性测量

我们在传统微电子加工基础上结合纳米组装技术构建了基于多壁碳纳米管的纳米电子学器件.在低场下测得导电通道有金属型和半导体型两种.在高场下的电学特性测量表明纳米碳管的

会议

离子束均匀性分析与改善

在大尺寸光栅元件离子束刻蚀技术中,改善离子束流密度均匀性是研制离子束刻蚀系统的关键技术之一.通过简介6×66cm RF条形宽束离子源和测试其束流密度的空间分布,分析了影响

会议

离子束刻蚀束流密度均匀性RF条形宽束离子源

磁控溅射制备的FePt/Fe多层膜的结构和磁性

采用磁控溅射法,在硅基片上生长了FePt单层膜,FePt/Fe多层膜样品系列,并在不同的温度下进行了热处理.然后用X射线衍射(XRD),电子能量谱(EDX)和振动样品磁强计(VSM)对样品的晶

会议

全息离子束刻蚀衍射光栅制作

本文着重介绍真空紫外闪耀光栅、软X射线Laminar光栅和软X射线自支撑透射光栅的全息离子束刻蚀制作技术,给出相应的研制结果.

会议

全息离子束刻蚀衍射透射光栅制作技术真空紫外射线闪耀光栅自支撑

硅ICP同步刻蚀中掩膜对刻蚀特性的影响

刻蚀是微器件制作中的关键技术之一,刻蚀结果会直接影响器件的性能.ICP(Inductively Coupled Plasma)刻蚀技术具有刻速快、各向异性高、刻蚀损伤小、大面积均匀性好等优点,已

会议

硅ICP掩膜刻蚀

推进阱杂质分布的模拟校准

本文提出了针对高压工艺推进阱杂质分布的模拟校准方法,通过修改磷杂质的扩散系数、材料界面间的磷杂质的分凝系数和界面传输系数,获得了与实际测试结果相符合的杂质分布结果

会议

推进阱杂质分布校准方法器件特性模拟扩散系数材料界面高压工艺分凝系数传输系数测试结果

深硅槽的刻蚀研究

在集成电路技术中,深硅槽主要用于双极集成电路中的隔离以及DRAM中的电容制作.由于双极集成电路中的工作电流大,深硅槽隔离技术对于双极集成电路来说是非常重要的,同时也能减

会议

深硅槽双极集成电路集成电路技术深沟隔离大电容制作面积刻蚀技术工作电流隔离技术深槽器件

聚脂膜衬底上类金刚石薄膜的XPS研究

XPS和硬度分析测试表明:利用MEVVA离子注入机在PET表面注入或沉积碳(C),表面形成了类金刚石薄膜.根据ClsXPS谱直接计算出了sp3的含量.与衬底PET相比,表面薄膜硬度提高了1个量

会议

聚脂膜衬底类金刚石薄膜表面注入离子注入机直接计算薄膜硬度分析测试沉积碳含量

ICP刻蚀技术在微细加工中的应用

其他学术论文