针对生物和光电信息等领域的需求,对荧光半导体纳米晶的成核生长机理及制备方法进行了研究。成功地将化学反应动力学的Arrhenius方程拓展到纳米晶体系,实现了纳米晶反应活化能等参数的定量求解,丰富并发展了纳米晶成核与生长理论。通过配体调控活化能,改变纳米晶的成核或生长路径,发展了尺寸可控和发光颜色从可见到近红外区可调的二元(Ⅲ-Ⅴ族InP和InAs等；Ⅱ-Ⅴ族Cd3P2和Cd3As2等)荧光半导体纳米晶的制备方法；通过平衡单体活性调控活化能,解决了多元纳米晶形成过程中的相分离问题,建立了发光颜色在可见 近红外区可调的三元CuInS2、AgInS2和四元ZnCuInS3荧光纳米晶的可控制备方法。成功将过度金属不纯物引入到半导体InP纳米晶体系,建立了求解荧光半导体纳米晶(Ⅱ-Ⅵ,Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅴ等)能带位置的新方法。通过调控荧光半导体纳米晶的能带位置,建立了具有双光纳米晶的可控制备方法；探索研究阐明近红外掺杂量子点热稳定性、生物相容性的必要性和荧光量子点在照明应用的可行性,为荧光量子点的相关应用奠定了坚实的材料基础。