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【摘 要】
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室温下采用射频磁控溅射沉积高阻ZnO薄膜作为沟道层，在玻璃衬底上制备出底栅共平面型结构薄膜晶体管(TFT)。对比源漏极分别为Cr和ITO的两种TFT器件，发现两者均具有好的饱和特性
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027
【出 处】
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第十二届全国固体薄膜会议
【发表日期】
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2010年期
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