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本文在液相外延系统中采用多井石墨滑动舟成功地生长了InAs/InAsSb多层及InAs/InAsPSb异质外延层。外延生长是在InAs(100)衬底上分别于550oC及600oC左右在高纯H2 气氛中进行的。利用稀土元素的吸杂作用提高了有源层的纯度，并采用掺Zn的方法获得了p-n结。外延层表面平整、光滑。X-射线衍射测试证明外延层具有相当完美的单晶晶体结构。用光学显微镜，傅立叶红外透射光谱等研究了外延层的光学和结构性质。结果表明：外延材料已达器件级水平，从而为我国的中红外探测和发光器件提供了一种新的材料。