【摘 要】
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一种新的高压SJ-LDMOS器件被提出.该器件利用非常规超结形成表面低电阻通道,同时提高器件耐压,同时,该器件还兼容BiCMOS工艺.仿真结果显示,该器件在漂移区长度为70 μm时
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
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一种新的高压SJ-LDMOS器件被提出.该器件利用非常规超结形成表面低电阻通道,同时提高器件耐压,同时,该器件还兼容BiCMOS工艺.仿真结果显示,该器件在漂移区长度为70 μm时,耐压达到700V,比导通电阻为75 mΩ·cm2,功率品质因数(FOM=BV2/Ron,sp)达到了6.5 MW/cm2,使之成为在智能功率集成电路(SPIC)应用中十分有前景的新型功率器件.
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