【摘 要】
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在传统的电子封装用金属基复合材料中,SiC颗粒增强金属基复合材料的研究与开发受到广大科研工作者的重视.在这种材料中,作为增强相的碳化硅颗粒是弥散在金属基体之中的,材料
【机 构】
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在传统的电子封装用金属基复合材料中,SiC颗粒增强金属基复合材料的研究与开发受到广大科研工作者的重视.在这种材料中,作为增强相的碳化硅颗粒是弥散在金属基体之中的,材料的线膨胀系数强烈地依赖于碳化硅颗粒的体积分数,而较大的碳化硅颗粒体积分数又势必降低材料的热导率.本文提出将三维网络SiC骨架整体增强金属基的新概念,并用陶瓷工艺制备了这种整体预制件骨架.这种预制件已不是传统意义上的颗粒或纤维增强型,这种材料在热循环过程中,增强体除了可承受压应力外,还可承受拉应力,复合材料在较低的SiC体积分数下,获得较低的热膨胀系数,从而使复合材料获得较高的热导率.
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