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随着声纳通信技术的发展，需要使用CMOS工艺设计用于声纳通信接收机中的低噪声低频混频器。由于MOSFETs的闪烁噪声拐角频率通常在几MHz，在低频工作时会有非常大的闪烁噪声。
这使得用MOSFETs设计的传统CMOS有源混频器，在低频低噪声系统中不能使用。本文提出了使用深N阱CMOS工艺中的垂直寄生NPN晶体管(V—NPN)设计的双极型有源混频器。该垂直寄生NPN晶体管的闪烁噪声拐角频率通常为几KHz，因此可以用来设计低噪声低频混频器。本文使用0.
18μm CMOS工艺中的V—NPN晶体管设计了一个双极型有源混频器。仿真结果显示，工作电压为3.3V，LO频率为50KHz，RF频率为40KHz时，该双极型有源混频器的电压增益为18.3dB，NFdsb为15.
99dB，等效输出噪声(32.4nV/√Hz)，P1dB为-9.88dBm，IIP3为-1.65dBm。