小型超高频低噪声FET放大器的设计和性能

来源 :全国首届MIC CAD及MIC工艺学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wq52131
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该文报道了MHF频段小型低噪声GaAsMESFET放大器的设计考虑、射频性能和试验结果,采用特殊的匹配网络和CAD技术使电路达到小型化和最佳化。设计的三级700MHz和三级1000MHz放大器均制作在50×60×0.8mm[**]的陶瓷基片上。其射频性能分别为:功率增益Gp为25dB(最佳29dB)和30dB,噪声系数Nf低于1.1dB(最佳0.8dB)和1.2dB,带宽W约为40MHz(3dB)和100MHz(dB),用700MHz放大器装成的卫星直播电视接收机,接收图象清晰,伴音音质良好。(本刊录)v
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