离子注入制备Si基稀磁半导体研究

来源 :2008年全国荷电粒子源、粒子束学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:FXH_590590
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用200KvMn离子注入p型Si(001)单晶,在1×1015~5×1016Mn+/cm2注入剂量范围内都观测到磁滞回线,表明样品有铁磁性存在。随着注入剂量的增加,饱和磁化强度有增强的趋势,退火后磁化强度较退火前有较大幅度的减小,增加退火温度又逐渐增加。Mn原子的平均磁矩随着注入剂量的增加逐渐减小。对于高注入剂量样品,退火后Mn原子磁矩值较退火前显著减小,增加退火温度,磁矩值逐渐增加。对于低注入剂量样品,Mn原子磁矩值则呈现出随退火温度增加而略有增加,而后又大幅度减小。
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