本文分别利用磁控溅射沉积、溶胶-凝胶浸涂及旋涂等方法在氧铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃上得到籽晶层,然后通过低温水热法获得了ZnO纳米线阵列。通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、光致发光谱等测试手段对不同方法获得的ZnO籽晶和纳米线阵列进行了表征和研究。进而在光刻有银电极的ITO玻璃基片上制备出紫外探测原型器件,测试了其紫外响应特性,并结合ZnO纳米线表面特性讨论了器件的紫外响应机理。结果表明：溶胶-凝胶旋涂获得的籽晶最小,生长出的纳米线长径比最高,直径最细,取向性也最好。对应的室温光致发光谱在近带边有优良的激发峰,而可见区的发光峰受到明显抑制。旋涂和浸涂籽晶获得的紫外探测样品响应迅速,但恢复较慢。磁控溅射籽晶样品有较优的响应和恢复特性,但信号强度较低。