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来源 :中国化学会第29届学术年会 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
迄今,运用无金属催化的化学气相沉积法在各种绝缘基底上(如二氧化硅、三氧化二铝及氮化硅)直接生长石墨烯已被广泛报道,为“无转移、无损”的石墨烯基器件的制备加工提供
【作 者】
:
孙靖宇[1]张艳锋[1]刘忠范[2]
【机 构】
:
北京大学化学与分子工程学院,纳米化学研究中心,北京,100871
【出 处】
:
中国化学会第29届学术年会
【发表日期】
:
2014年期
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