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4H-SiC基宽带隙半导体材料具有高热导率,高饱和迁移率,高辐射硬度,杰出的化学机械稳定性以及成熟的材料制备技术,成为制备高量子效率、低漏电流和高增益雪崩日盲紫外光电探测器的理想材料.
高增益4H-SiC基PIN雪崩紫外光电探测器
【摘 要】
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4H-SiC基宽带隙半导体材料具有高热导率,高饱和迁移率,高辐射硬度,杰出的化学机械稳定性以及成熟的材料制备技术,成为制备高量子效率、低漏电流和高增益雪崩日盲紫外光电探测
【机 构】
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南京大学电子科学与工程学院江苏南京210093
【出 处】
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第十九届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2013年7期
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