Yb的掺杂对CuInTe2结构稳定性的影响

来源 :第十二届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ilfang456
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一.引言 三元化合物Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2型黄铜矿结构的半导体由于它的光学方面、电学方面等的应用,变得非常受欢迎[1].CuInTe2在室温下的电子伏特为1.04eV,该数字非常接近太阳能转化值.因此,CIT非常受欢迎.由于稀土元素的上转换发光,使得稀土化合物吸收更大范围的太阳光后释放出可以被CIT吸收的可见光.与此同时,稀土元素的透光性能良好,可以提高光转换效率.Yb掺杂在CuInS2化合物中,通过其光学性能可以得到Yb有较好的性能[2].所以本文主要研究Yb掺杂在CuInTe2中,对CuInTe2的结构稳定性的影响.
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