【摘 要】
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原子层沉积技术(ALD)是一种自限制的薄膜生长方法,主要依靠前驱体源的交替吸附、反应,完成薄膜的生长,所需温度较低.正是由于这些特性,使其在薄膜制备方面表面出很多的优点:
【机 构】
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北京印刷学院等离子体物理及材料研究室,102600, 大兴,北京
【出 处】
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第一届新型太阳能电池暨钙钛矿太阳能电池学术研讨会
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原子层沉积技术(ALD)是一种自限制的薄膜生长方法,主要依靠前驱体源的交替吸附、反应,完成薄膜的生长,所需温度较低.正是由于这些特性,使其在薄膜制备方面表面出很多的优点:良好的重复性和大范围的均匀性;厚度的精确控制;生长的薄膜连续致密等.本文使用三甲基铝和水作为前驱体,通过ALD沉积方法在多孔二氧化锡光阳极表面沉积了氧化铝薄膜,同时研究了氧化铝薄膜的沉积参数对染料敏化太阳能电池性能的影响.结果表明,随着沉积氧化铝厚度的增加,电池的效率呈现出上升后下降的趋势.当氧化铝的前驱体吸附时间是11秒,沉积周期为2cycle时,电池能量转化效率最优,达到了2.01%,与未沉积氧化铝的器件相比,效率提升了93.27%.其原因是由于氧化铝减少了光阳极和染料之间的电子逆向复合,使阳极能够更加有效的收集电子.但是随着氧化铝厚度的增加,氧化铝导电性变差,电子在界面被阻挡而无法到达光阳极,导致器件性能下降.同时研究了单体的吸附时间对电池性能的影响,当单体吸附时间较短时,氧化铝薄膜的沉积不能贯穿整个多孔氧化锡薄膜,氧化铝主要是在多孔氧化锡表面生长;当前驱体吸附时间相对较长时,氧化铝在氧化锡层孔隙内均匀包覆,提高了器件性能.
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