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研制了一种用于改进光学薄膜性能的轻型等离子体源(Light Plasma Source)，轰击离子的能量为35-80eV，连续可调，加偏压时离子能量可提高到近200eV。由于降低了轰击离子的能量，克服了其它离子辅助轰击方法的缺点，如溅射引起的膜层污染、组份优先溅射形成的膜层化学成份与膜料化学成份的差异，膜层界面锐度降低等。初步工艺实验结果表明，器件在镀膜过程中有严格温度限制时，轻型等离子体源的使用满足了器件镀膜的要求，改进了膜层性能。