半导体隧穿钝化技术及其工艺装备LPCVD在半导体和光伏领域的应用

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【摘要】

：

<正>1.量子隧穿效应在半导体芯片工艺中有一层1～2nm的隧道层（通常为二氧化硅SiO2薄膜）,此膜层的存在可以在半导体器件中实现量子隧穿效应,而此膜层的均匀性及结构可以直接影响器

【作者】

：

孙嵩泉

【机构】

：

普乐新能源(蚌埠)有限公司;

【发表日期】

：

2004年期

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<正>1.量子隧穿效应在半导体芯片工艺中有一层1～2nm的隧道层（通常为二氧化硅SiO₂薄膜）,此膜层的存在可以在半导体器件中实现量子隧穿效应,而此膜层的均匀性及结构可以直接影响器件的量子隧穿效应。根据量子隧穿效应制造的场效应晶体管称为隧穿场效应晶体管Tunneling Field-Effect Transistor简称TFET;根据量子隧穿效应制造的太阳能电池称为隧穿氧化钝化接触太阳能电池Tunnel Oxide Passivated Contact cell,

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