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从埋沟CCD的像元结构出发，对该器件单元进行电路建模，分别对多晶硅电极电阻的功耗、外延层电阻的功耗以及信号电荷转移产生的功耗这3种器件在工作时的主要功耗源进行了讨论，并推导了估算公式，且根据估算公式指出了在各种工作条件下的主要功耗源。最后指出该建模及估算方法同样适合于表面沟道CCD等结构。
CCD图像传感器像元动态功耗分析
【摘 要】
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从埋沟CCD的像元结构出发，对该器件单元进行电路建模，分别对多晶硅电极电阻的功耗、外延层电阻的功耗以及信号电荷转移产生的功耗这3种器件在工作时的主要功耗源进行了讨论，并推
【机 构】
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电子科技大学微电子与周体电子学院ULSI集成网络实验室 成都 610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会
【发表日期】
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2008年期
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