【摘 要】
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高电子迁移率的Ⅲ-Ⅴ族半导体有望取代硅，作为下一代金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的沟道材料应用于超大规模集成电路上[1].目前技术上最大的难题之一就是如何提高Ⅲ-Ⅴ族半导体与高κ栅介质接触的界面质量.InAs作为Ⅲ-Ⅴ族半导体中电子迁移率最高的半导体之一，其空穴迁移率也很高，因此有望作为n与p型晶体管，作为互补型晶体管[2].
【机 构】
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南开大学电子信息与光学工程学院,天津 300350
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高电子迁移率的Ⅲ-Ⅴ族半导体有望取代硅，作为下一代金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的沟道材料应用于超大规模集成电路上[1].目前技术上最大的难题之一就是如何提高Ⅲ-Ⅴ族半导体与高κ栅介质接触的界面质量.InAs作为Ⅲ-Ⅴ族半导体中电子迁移率最高的半导体之一，其空穴迁移率也很高，因此有望作为n与p型晶体管，作为互补型晶体管[2].
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