【摘 要】
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用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法研究了生长压力和Ⅴ/Ⅲ对AlInN材料的生长模式及其结构和性质的影响。原子力显微镜(AFM)测试发现,随着反应室压力的升高,AlInN
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,江苏215123
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用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法研究了生长压力和Ⅴ/Ⅲ对AlInN材料的生长模式及其结构和性质的影响。原子力显微镜(AFM)测试发现,随着反应室压力的升高,AlInN的生长模式由二维逐渐转向三维,形貌特征有显著变化；但Ⅴ/Ⅲ 的变化则对AlInN 的表面形貌无明显影响。透射电子显微镜(TEM)测试表明AlInN 外延层存在明显的相分离现象,沿生长方向材料组分呈梯度式渐变分布。二次离子质谱(SIMS)分析证实AlInN 外延层中存在大量非故意掺入的Ga 原子。结合TEM 和SIMS 的测试结果以及进一步的外延生长实验验证,GaN 基底被确定为非故意Ga 掺杂源,且In、Al、Ga 之间的原子扩散为Ga 非故意掺入的主要途径。
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