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该文报道了用分子束外延（ＭＢＥ）、自组织法生长低组分、低应变量子点超晶格Ｉｎ〈，ｘ〉Ｇａ〈，１－ｘ〉Ａｓ／ＧａＡｓ材料（样品组分为０．２８），量子点的平均尺度为高约１０ｎｍ、直径约３０ｎｍ，低温下（１５Ｋ）荧光谱（ＰＬ）测其发光峰位在１．２５９ｅＶ、半高宽为６３ｍｅＶ，红外吸收测量表明：正入射下在１４～１５μｍ有着强烈吸收。