【摘 要】
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类MOS碳纳米管场效应管(C-CNFETs)在实际应用中不可避免地要与金属电极接触,从而给其性能带来一定影响.本文首先详细分析了实际应用中C-CNFETs可能面临的接触情况,然后采用非
【机 构】
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国防科技大学计算机学院 长沙410073
【出 处】
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第十四届计算机工程与工艺会议(NCCET'10)
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类MOS碳纳米管场效应管(C-CNFETs)在实际应用中不可避免地要与金属电极接触,从而给其性能带来一定影响.本文首先详细分析了实际应用中C-CNFETs可能面临的接触情况,然后采用非平衡格林函数对肖特基接触给C-CNFETs带来的影响进行了比较研究.研究结果表明,肖特基接触对器件性能的影响可等效为一串联电阻,其电阻值大小随器件接触情况、栅偏置条件的不同而发生变化,但总的效果并不显著;本文最后对具有肖特基接触的C-CNFETs的转移特性随金属电极材料功函数、CNT-金属耦合强度及器件尺寸的变化关系进行了研究,为实际中的器件设计提供理论指导.
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