在限制于GaAs/A1GaAs异质结中的二维电子气上形成的量子点接触,电导出现以G0=2e2/h为单位的量子台阶,可以在单粒子模型下得到很好的解释,早期,由Glazman和Khaetskii预言,当提高源漏偏压时,电导整数平台G=N×2e2/h逐渐过渡到半整数平台G=(N-1/2×2e2/h,其中N=1,2,3…当G≥2e2/h时,这个理论的预言与实验吻合,但在G<2e2/h时,所有相关实验表明平台出现在(0.2-0.3)×2e2/h附近,这个电导的“0.25特性”引起了很多科研工作者的极大兴趣,在量子点接触中出现非线性输运有两种极限情况：一种是源漏偏压eVsd较大,大于费米能EF；另一种是源漏偏压eVsd较小,大小可以和子带能级间隔AE比拟时,电子之间的相互作用对体系的影响相对增强,对输运性质必然产生一定的影响,由于计算中每一个源漏偏压值都要自洽,所以相对于线性区域理论计算更加复杂,本文利用非平衡格林函数方法和紧束缚模型,计算了有限偏压下量子点接触中的输运性质,在自发自旋极化模型基础上讨论了门电压,源漏偏压、电子相互作用、温度、磁场对电导的影响,当偏压势能与子带能级间隔相近的情况下,与自旋有关的非线性微分电导与电子之间的相互作用密切相关,适当调节偏压可以获得较高的自旋极化率,为自旋电子器件的设计提供了理论依据,在第一个电导台阶以下,与自旋相关的电导受偏压的影响非常敏感,可以用来设计自旋传感器.